Kaufen Vishay Siliconix SI1021R-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

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Datenblätter

SI1021R-T1-GE3

MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A

Artikelnummer

SI1021R-T1-GE3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-75A

Gerätepaket des Lieferanten

SC-75A

Verlustleistung (max.)

250mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

190mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

23pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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