Kaufen Vishay Siliconix SI1013X-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

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SI1013X-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

Artikelnummer

SI1013X-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-89, SOT-490

Gerätepaket des Lieferanten

SC-89-3

Verlustleistung (max.)

250mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

350mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±6V

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