Kaufen Vishay Siliconix SI1012R-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

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Datenblätter

SI1012R-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 500MA SC-75A

Artikelnummer

SI1012R-T1-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SC-75A

Gerätepaket des Lieferanten

SC-75A

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

500mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700 mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4.5V

Vgs (Max)

±6V

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