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IRLR110TRPBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Artikelnummer
IRLR110TRPBF
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
D-Pak
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
250pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4V, 5V
Vgs (Max)
±10V
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