Kaufen Vishay Siliconix IRLL110TRPBF MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

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Datenblätter

IRLL110TRPBF

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223

Artikelnummer

IRLL110TRPBF

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-261-4, TO-261AA

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-223

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540 mOhm @ 900mA, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

250pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 5V

Vgs (Max)

±10V

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