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IRLI630GPBF
MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP
Artikelnummer
IRLI630GPBF
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220-3
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 3.7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1100pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4V, 5V
Vgs (Max)
±10V
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