Kaufen Vishay Siliconix IRL640STRLPBF MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

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Datenblätter

IRL640STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK

Artikelnummer

IRL640STRLPBF

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

D2PAK

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

17A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180 mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1800pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 5V

Vgs (Max)

±10V

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