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IRFD113

MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP

Artikelnummer

IRFD113

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Gerätepaket des Lieferanten

4-HVMDIP

Verlustleistung (max.)

1W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

800mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800 mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

200pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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