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IRFBG30PBF

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

Artikelnummer

IRFBG30PBF

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220AB

Verlustleistung (max.)

125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 Ohm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

980pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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