Kaufen Vishay Siliconix 2N6661 MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

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Datenblätter

2N6661

MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205

Artikelnummer

2N6661

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Gerätepaket des Lieferanten

TO-39

Verlustleistung (max.)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

90V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

860mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

50pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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