Kaufen Vishay Siliconix 2N6660-E3 MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

2N6660-E3

MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205

Artikelnummer

2N6660-E3

Hersteller/Marke

Vishay Siliconix

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Gerätepaket des Lieferanten

TO-205AD (TO-39)

Verlustleistung (max.)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

990mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

50pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 52925 PCS

Kontaktinformationen