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VS-FC80NA20
MOSFET N-CH 200V 108A
Artikelnummer
VS-FC80NA20
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Chassis Mount
Paket/Koffer
SOT-227-4, miniBLOC
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-227
Verlustleistung (max.)
405W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
161nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
10720pF @ 50V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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