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TPH6R004PL,LQ

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Artikelnummer

TPH6R004PL,LQ

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIX-H

Teilestatus

Active

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

175°C

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerVDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOP Advance (5x5)

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 81W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

87A (Ta), 49A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6 mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 200µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2700pF @ 20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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