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TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Artikelnummer
TPCF8B01(TE85L,F,M
Hersteller/Marke
Serie
U-MOSIII
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SMD, Flat Lead
Gerätepaket des Lieferanten
VS-8 (2.9x1.5)
Verlustleistung (max.)
330mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
Schottky Diode (Isolated)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
470pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
1.8V, 4.5V
Vgs (Max)
±8V
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