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TPC8062-H,LQ(CM

TPC8062-H,LQ(CM

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
Artikelnummer
TPC8062-H,LQ(CM
Serie
U-MOSVII-H
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten
8-SOP
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2900pF @ 10V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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