Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK16C60W,S1VQ MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK - YYIC

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TK16C60W,S1VQ

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TK16C60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK

Artikelnummer

TK16C60W,S1VQ

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Gerätepaket des Lieferanten

I2PAK

Verlustleistung (max.)

130W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

-

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

15.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 790µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1350pF @ 300V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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