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TK14E65W,S1X

TK14E65W,S1X

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220
Artikelnummer
TK14E65W,S1X
Serie
DTMOSIV
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
13.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 690µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1300pF @ 300V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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