Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W,S5X MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220

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TK11A65W,S5X

MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220

Artikelnummer

TK11A65W,S5X

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

DTMOSIV

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3 Full Pack

Gerätepaket des Lieferanten

TO-220SIS

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

11.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 450µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

890pF @ 300V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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