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TK11A65W,S5X

TK11A65W,S5X

MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
Artikelnummer
TK11A65W,S5X
Serie
DTMOSIV
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220SIS
Verlustleistung (max.)
35W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
390 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 450µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
890pF @ 300V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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