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TK10V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN
Artikelnummer
TK10V60W,LVQ
Hersteller/Marke
Serie
DTMOSIV
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
4-VSFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten
4-DFN-EP (8x8)
Verlustleistung (max.)
88.3W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
Super Junction
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
700pF @ 300V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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