Toshiba Semiconductor and Storage
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TK10A60W,S4X
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TK10A60W,S4X

MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
Artikelnummer
TK10A60W,S4X
Hersteller/Marke
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
DTMOSIV
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220
Verlustleistung (max.)
30W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 4.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
720pF @ 300V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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