Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K35MFV(TPL3) MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM

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Datenblätter

SSM3K35MFV(TPL3)

MOSFET N-CH 20V 0.18A VESM

Artikelnummer

SSM3K35MFV(TPL3)

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVI

Teilestatus

Discontinued at Digi-Key

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-723

Gerätepaket des Lieferanten

VESM

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

180mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

9.5pF @ 3V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.2V, 4V

Vgs (Max)

±10V

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