Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K329R,LF MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A

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Datenblätter

SSM3K329R,LF

MOSFET N CH 30V 3.5A 2-3Z1A

Artikelnummer

SSM3K329R,LF

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSIII

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-23-3 Flat Leads

Gerätepaket des Lieferanten

SOT-23F

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

126 mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

123pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.8V, 4V

Vgs (Max)

±12V

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