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SSM3K318T,LF
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
Artikelnummer
SSM3K318T,LF
Hersteller/Marke
Serie
U-MOSIV
Teilestatus
Discontinued at Digi-Key
Verpackung
Cut Tape (CT)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten
TSM
Verlustleistung (max.)
700mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
107 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
235pF @ 30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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