Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K01T(TE85L,F) MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

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Datenblätter

SSM3K01T(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

Artikelnummer

SSM3K01T(TE85L,F)

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVI

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

TSM

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

120 mOhm @ 1.6A, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

152pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4V

Vgs (Max)

±10V

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