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SSM3J35MFV,L3F

SSM3J35MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
Artikelnummer
SSM3J35MFV,L3F
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SOT-723
Gerätepaket des Lieferanten
VESM
Verlustleistung (max.)
150mW (Ta)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
12.2pF @ 3V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
-
Vgs (Max)
-
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