Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

SSM3J35MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

Artikelnummer

SSM3J35MFV,L3F

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

π-MOSVI

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

SOT-723

Gerätepaket des Lieferanten

VESM

Verlustleistung (max.)

150mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

12.2pF @ 3V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.2V, 4V

Vgs (Max)

±10V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 47606 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

SSM3302ACPZ

IC AMP AUDIO 20W STER D 40LFCSP