Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F) MOSFET P-CH 20V 5A TSM

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Datenblätter

SSM3J307T(TE85L,F)

MOSFET P-CH 20V 5A TSM

Artikelnummer

SSM3J307T(TE85L,F)

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSV

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Digi-Reel®

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

TSM

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1170pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

±8V

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