Kaufen Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J14TTE85LF MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM

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SSM3J14TTE85LF

MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM

Artikelnummer

SSM3J14TTE85LF

Hersteller/Marke

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

U-MOSII

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Gerätepaket des Lieferanten

TSM

Verlustleistung (max.)

700mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 1.35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

413pF @ 15V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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