Toshiba Semiconductor and Storage
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2SK1829TE85LF
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2SK1829TE85LF

MOSFET N-CH 20V 0.05A USM
Artikelnummer
2SK1829TE85LF
Hersteller/Marke
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket des Lieferanten
SC-70
Verlustleistung (max.)
100mW (Ta)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
50mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
5.5pF @ 3V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
2.5V
Vgs (Max)
10V
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