Kaufen Texas Instruments CSD86330Q3D MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

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Datenblätter

CSD86330Q3D

MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON

Artikelnummer

CSD86330Q3D

Hersteller/Marke

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Digi-Reel®

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerLDFN

Leistung max

Gerätepaket des Lieferanten

8-LSON (3.3x3.3)

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain-Source-Spannung (Vdss)

25V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6 mOhm @ 14A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

920pF @ 12.5V

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