Kaufen Texas Instruments CSD23285F5 MOSFET P-CH 12V

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Datenblätter

CSD23285F5

MOSFET P-CH 12V

Artikelnummer

CSD23285F5

Hersteller/Marke

Texas Instruments

Serie

FemtoFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

3-XFDFN

Gerätepaket des Lieferanten

3-PICOSTAR

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

FET-Typ

P-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

5.4A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

628pF @ 6V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

1.5V, 4.5V

Vgs (Max)

-6V

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