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CSD22206W

CSD22206W

8V P-CHANNEL FEMTOFET
Artikelnummer
CSD22206W
Hersteller/Marke
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
9-UFBGA, DSBGA
Gerätepaket des Lieferanten
9-DSBGA (1.5x1.5)
Verlustleistung (max.)
1.7W (Ta)
FET-Typ
P-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
8V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.05V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14.6nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2275pF @ 4V
Vgs (Max)
-6V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
2.5V, 4.5V
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