Kaufen Texas Instruments CSD19531Q5AT MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

CSD19531Q5AT

MOSFET N-CH 100V 100A 8SON

Artikelnummer

CSD19531Q5AT

Hersteller/Marke

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-VSONP (5x6)

Verlustleistung (max.)

3.3W (Ta), 125W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.4 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3870pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

6V, 10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 14632 PCS

Kontaktinformationen