Kaufen Texas Instruments CSD18509Q5BT MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

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Datenblätter

CSD18509Q5BT

MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON

Artikelnummer

CSD18509Q5BT

Hersteller/Marke

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-VSON-CLIP (5x6)

Verlustleistung (max.)

3.1W (Ta), 195W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

100A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 32A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

195nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

13900pF @ 20V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

4.5V, 10V

Vgs (Max)

±20V

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