Kaufen Texas Instruments CSD13306W MOSFET N-CH 12V 3.5A

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Datenblätter

CSD13306W

MOSFET N-CH 12V 3.5A

Artikelnummer

CSD13306W

Hersteller/Marke

Texas Instruments

Serie

NexFET™

Teilestatus

Active

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

6-UFBGA, DSBGA

Gerätepaket des Lieferanten

6-DSBGA (1x1.5)

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta)

FET-Typ

N-Channel

Drain-Source-Spannung (Vdss)

12V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

11.2nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1370pF @ 6V

Vgs (Max)

±10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

2.5V, 4.5V

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