Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
TSM4ND65CI
650V 4A SINGLE N-CHANNEL POWER M
Artikelnummer
TSM4ND65CI
Hersteller/Marke
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gerätepaket des Lieferanten
ITO-220
Verlustleistung (max.)
41.6W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
596pF @ 50V
Vgs (Max)
±30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 45004 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von TSM4ND65CI
TSM4ND65CI Elektronische Komponenten
TSM4ND65CI Verkäufe
TSM4ND65CI Anbieter
TSM4ND65CI Verteiler
TSM4ND65CI Datentabelle
TSM4ND65CI Fotos
TSM4ND65CI Preis
TSM4ND65CI Angebot
TSM4ND65CI Geringster Preis
TSM4ND65CI Suchen
TSM4ND65CI Einkauf
TSM4ND65CI Chip