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TSM4N70CH C5G
MOSFET N-CH 700V 3.5A TO251
Artikelnummer
TSM4N70CH C5G
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-251 (IPAK)
Verlustleistung (max.)
56W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
700V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
595pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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