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TSM2N60SCW RPG
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Artikelnummer
TSM2N60SCW RPG
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Gerätepaket des Lieferanten
SOT-223
Verlustleistung (max.)
2.5W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
435pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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