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TSM280NB06LCR RLG
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Artikelnummer
TSM280NB06LCR RLG
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerLDFN
Gerätepaket des Lieferanten
8-PDFN (5x6)
Verlustleistung (max.)
3.1W (Ta), 56W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
7A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
969pF @ 30V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
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