Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60SCT A3G MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

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Datenblätter

TSM1NB60SCT A3G

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

Artikelnummer

TSM1NB60SCT A3G

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Last Time Buy

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Gerätepaket des Lieferanten

TO-92

Verlustleistung (max.)

2.5W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

500mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

138pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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