Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM1N45DCS RLG MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP

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Datenblätter

TSM1N45DCS RLG

MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP

Artikelnummer

TSM1N45DCS RLG

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Gerätepaket des Lieferanten

8-SOP

Verlustleistung (max.)

900mW (Ta)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

450V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

500mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.25 Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.9V @ 250mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

185pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±50V

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