Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Datenblätter

TSM120N10PQ56 RLG

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Artikelnummer

TSM120N10PQ56 RLG

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Cut Tape (CT)

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

8-PowerTDFN

Gerätepaket des Lieferanten

8-PDFN (5x6)

Verlustleistung (max.)

36W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

58A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3902pF @ 30V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 54426 PCS

Kontaktinformationen