Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation RS1ML R3G DIODE GEN PURP 1KV 800MA SUB SMA

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Datenblätter

RS1ML R3G

DIODE GEN PURP 1KV 800MA SUB SMA

Artikelnummer

RS1ML R3G

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Cut Tape (CT)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

DO-219AB

Gerätepaket des Lieferanten

Sub SMA

Diodentyp

Standard

Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)

800mA

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.3V @ 800mA

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

5µA @ 1000V

Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1000V

Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

500ns

Betriebstemperatur – Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Kapazität @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

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