Kaufen Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B9V1-G RHG DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

BZT52B9V1-G RHG

DIODE ZENER 9.1V 410MW SOD123

Artikelnummer

BZT52B9V1-G RHG

Hersteller/Marke

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tape & Reel (TR)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Toleranz

±2%

Paket/Koffer

SOD-123

Leistung max

410mW

Gerätepaket des Lieferanten

SOD-123

Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 10mA

Strom – Rückwärtsleckage bei Vr

500nA @ 6V

Spannung – Zener (Nom) (Vz)

9.1V

Impedanz (Max) (Zzt)

15 Ohms

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 24715 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

BZT52-B10J

DIODE ZENER 10V 590MW SOD123