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STL33N60M2

STL33N60M2

MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88
Artikelnummer
STL33N60M2
Hersteller/Marke
Serie
MDmesh™ II Plus
Teilestatus
Active
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
4-PowerFlat™ HV
Gerätepaket des Lieferanten
PowerFlat™ (8x8) HV
Verlustleistung (max.)
190W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 10.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1700pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±25V
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