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STL12N10F7

STL12N10F7

N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P
Artikelnummer
STL12N10F7
Hersteller/Marke
Serie
STripFET™ F7
Teilestatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket des Lieferanten
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Verlustleistung (max.)
52W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.3 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1820pF @ 50V
Vgs (Max)
±20V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
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