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STFI26NM60N

MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP

Artikelnummer

STFI26NM60N

Hersteller/Marke

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ II

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Gerätepaket des Lieferanten

I2PAKFP (TO-281)

Verlustleistung (max.)

35W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1800pF @ 50V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±25V

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