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STFI13N65M2
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
Artikelnummer
STFI13N65M2
Hersteller/Marke
Serie
MDmesh™ M2
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Gerätepaket des Lieferanten
I2PAKFP (TO-281)
Verlustleistung (max.)
25W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
430 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
590pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±25V
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