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STF33N65M2

STF33N65M2

MOSFET N-CH 650V 24A TO220FP
Artikelnummer
STF33N65M2
Hersteller/Marke
Serie
MDmesh™ M2
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220FP
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
41.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1790pF @ 100V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±25V
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