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STD12NF06L-1
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Artikelnummer
STD12NF06L-1
Hersteller/Marke
Serie
STripFET™ II
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten
I-PAK
Verlustleistung (max.)
42.8W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
350pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
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